【資料圖】

（原標題：電動(dòng)車(chē)、新能源領(lǐng)域的需求急增 第三代半導體加速“上車(chē)”）

日本半導體材料大廠(chǎng)昭和電工近日宣布，其碳化硅（SiC）功率半導體的8英寸SiC 外延晶圓已開(kāi)始進(jìn)行樣品出貨。昭和電工表示，和原先使用硅晶圓的功率半導體相比，SiC功率半導體的電力損耗更少、更不易發(fā)熱，來(lái)自電動(dòng)車(chē)、再生能源領(lǐng)域的需求急增。

SiC半導體性能優(yōu)異，其禁帶寬度是硅的3倍，擊穿電壓是硅的8-10倍，導熱率是硅的3-5倍，電子飽和漂移速率是硅的2-3倍。SiC能夠有效滿(mǎn)足電力電子系統的高效率、小型化和輕量化要求，是制作高溫高頻、大功率高壓器件的理想材料之一。券商人士分析指出，未來(lái)隨著(zhù)大直徑襯底占比提升、襯底和外延晶片質(zhì)量提高、單晶平均可用厚度持續增加以及擴產(chǎn)導致規模效應增大，SiC產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節成本有望持續降低，并實(shí)現對于下游領(lǐng)域的加速滲透。

據財聯(lián)社主題庫顯示，相關(guān)上市公司中：

天岳先進(jìn)在半絕緣SiC襯底的市場(chǎng)占有率連續三年保持全球前三，公司日前與客戶(hù)簽訂了預計金額13.93億元的長(cháng)期協(xié)議。

露笑科技表示，碳化硅襯底片現在已經(jīng)在連續供貨，目前每個(gè)月可供1000片左右，預計到今年年底可以實(shí)現5000片/月的供貨能力，在價(jià)格方面，預計1-2年內難以下跌，甚至可能上漲。

關(guān)鍵詞：