（原標題：浙商證券：新能源車+光伏需求即將興起 碳化硅襯底本土化率有望提升）

SiC碳化硅：產(chǎn)業(yè)化黃金時代已來；襯底為產(chǎn)業(yè)化突破的核心

1）高壓、高功率應用場景下性能優(yōu)越,適用于600V以上高壓場景。相同規(guī)格的碳化硅基MOSFET與硅基MOSFET相比，尺寸減小至原來1/10，導通電阻降低至原來1/100，總能損耗降低70%，能源轉(zhuǎn)換效率提高。下游應用新能源車、充電樁、光伏、風電、軌道交通等領域。

2）受益新能源車爆發(fā)，SiC產(chǎn)業(yè)化黃金時代將來臨。Yole預計2026年SiC功率器件市場規(guī)模將達45億美元，2020-2026年CAGR=36%。新能源汽車是碳化硅功率器件市場的主要增長驅(qū)動，應用端：解決續(xù)航痛點。成本端：單車可節(jié)省400-800美元的電池成本?？蛻舳耍禾厮估溶嚻笙嗬^布局。目前特斯拉僅使用在主逆變器上、未來有進一步應用提升空間。

3）性價比是決定SiC器件大批量使用的關(guān)鍵，襯底制備為碳化硅性價比提升的核心。在碳化硅器件的成本占比當中：襯底、外延、器件分別占比46%、23%、20%。襯底為碳化硅降本的核心、也是技術(shù)壁壘最高環(huán)節(jié)，是未來SiC降本、大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化推進的核心關(guān)鍵。

SiC襯底：新能源車+光伏需求潛力巨大；國內(nèi)外差距逐步縮小

1）市場空間：預計2025年新能源車+光伏逆變器市場需求達261億元，2021-2025年CAGR=79%。新能源車：目前單特斯拉Model3/Y一年需求量就能消耗全球SiC晶圓絕大產(chǎn)能。該機構(gòu)分析師測算如2025年SiC在新能源車滲透率達60%，預計6英寸SiC襯底需求達587萬片/年，市場空間達231億元。光伏逆變器：“大組件、大逆變器、大組串”時代，光伏電站電壓等級從1000V提升至1500V以上，碳化硅功率器件有望成為標配。該機構(gòu)分析師假設2025年碳化硅滲透率提升至50%，對應SiC襯底市場達30億元。行業(yè)核心瓶頸在于供給端不足。

2）競爭格局：國內(nèi)外差距在逐步縮小，本土化率有望提升。目前海外龍頭（Wolfspeed、II-VI占據(jù)60%以上市場份額）已實現(xiàn)6英寸規(guī)?；?、向8英寸進軍。國產(chǎn)廠家（天岳先進、天科合達、晶盛機電、露笑科技等）以小尺寸為主、向6英寸進軍。但可觀測到，國內(nèi)外差距正在縮小、且整體差距小于傳統(tǒng)硅基半導體。國內(nèi)外差距已從過去的10-15年（4英寸）、縮小至5-10年以內(nèi)（6英寸）。預計未來向8英寸進軍過程中，差距有望進一步縮小。

3）生產(chǎn)工藝：較硅基半導體難度大幅增加；長晶環(huán)節(jié)是關(guān)鍵。碳化硅襯底屬于技術(shù)密集型行業(yè)。核心難點在于：長晶工藝復雜（只有4H型等少數(shù)幾種是所需的晶型），生長速度慢（每小時僅能生長0.2-0.3mm，較傳統(tǒng)晶硅慢近百倍以上），產(chǎn)出良率低（硬度與金剛石接近，切磨拋難度大）?！爱a(chǎn)學研用”為國內(nèi)碳化硅襯底發(fā)展的重要推進動力。國內(nèi)高校和科研單位主要包括中科院物理所、山東大學、上海硅酸鹽所等。

4）行業(yè)趨勢：降本是產(chǎn)業(yè)化核心，向大尺寸延伸。目前6英寸SiC襯底價格在1000美金/片，數(shù)倍于傳統(tǒng)硅基半導體。未來降本方式包括：提升材料使用率（大尺寸化，由4英寸向6英寸、8英寸延伸）、降低制造成本（提升良率）、提升生產(chǎn)效率（更成熟長晶工藝）。

SiC襯底設備：與傳統(tǒng)晶硅差異較小，工藝調(diào)教為核心壁壘

主要包括：長晶爐、切片機、研磨機、拋光機、清洗設備等。與傳統(tǒng)傳統(tǒng)晶硅設備具一定相通性、但工藝難度更高。碳化硅襯底第三方設備廠商較少，企業(yè)更多為設備+制造一體化布局為主，便于將核心工藝機密掌握自己手里。設備+工藝聯(lián)合研發(fā)、形成互哺是關(guān)鍵。

重點推薦：晶盛機電。重點關(guān)注上市公司：天岳先進、露笑科技、三安光電、東尼電子、天通股份、鳳凰光學、華潤微、天富能源等。關(guān)注非上市公司：天科合達、河北同光、山東爍科、瀚天天成、天域半導體、中科節(jié)能、泰科天潤等。

關(guān)鍵詞： 新能源車 浙商證券