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（原標題：氮化鎵應用拓展 向多個(gè)市場(chǎng)持續推進(jìn)）

以碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導體，已在功率電子領(lǐng)域闖出一片天下。其中，碳化硅更適應高壓、大電流的應用場(chǎng)景，制霸新能源汽車(chē)市場(chǎng)，產(chǎn)值遠超主攻中低電壓市場(chǎng)的氮化鎵。而近年來(lái)，氮化鎵的應用已經(jīng)不再局限于快充等消費電子市場(chǎng)，而是向數據中心、可再生能源甚至新能源汽車(chē)市場(chǎng)持續推進(jìn)。

英諾賽科產(chǎn)品應用總監鄒艷波表示，過(guò)去三年氮化鎵的性能獲得大幅提升，并且隨著(zhù)技術(shù)的迭代和規模效應發(fā)揮，成本與跟硅器件接近，特別是形成系統方案之后，整體的成本已經(jīng)可以為客戶(hù)帶來(lái)收益。據了解，英諾賽科擁有全球量產(chǎn)8英寸硅基氮化鎵的平臺，產(chǎn)品已經(jīng)覆蓋15V到700V。相對于6英寸的平臺，8英寸單片晶圓器件可以增加80%，單顆產(chǎn)品就具備30%的成本優(yōu)勢。

在數據中心、光伏逆變器、汽車(chē)、通信電源等市場(chǎng)，對產(chǎn)品功率密度、能效、開(kāi)關(guān)頻率、熱管理、可靠性及尺寸等都提出了更高的要求。而氮化鎵因具備寬禁帶、高頻率、低損耗、抗輻射強等優(yōu)勢，正好滿(mǎn)足了各種應用場(chǎng)景對高效率、低能耗、高性?xún)r(jià)比的要求。

“在汽車(chē)領(lǐng)域，目前首先量產(chǎn)的是激光雷達產(chǎn)品，也有部分廠(chǎng)商正在致力于開(kāi)發(fā)用于汽車(chē)主逆變器的氮化鎵功率元件。”鄒艷波表示。

氮化鎵也在向中高功率領(lǐng)域拓展。據了解，珠海鎵未來(lái)已經(jīng)著(zhù)手將氮化鎵引入到戶(hù)外電源的雙向逆變器。聞泰科技旗下安世半導體位居全球前五大功率分立器件公司，不斷提升氮化鎵在數據中心等領(lǐng)域性能，并推出了三代650V氮化鎵場(chǎng)效應晶體管。

安世半導體副總裁姜克日前出席南沙國際集成電路產(chǎn)業(yè)論壇時(shí)表示，未來(lái)汽車(chē)的800V構架需要的1200V器件的話(huà)，業(yè)界給的主流答案肯定是碳化硅的；但預計未來(lái)三五年，縱向的GaN的器件方案將會(huì )推出。

國際功率巨頭更是對碳化硅和氮化鎵通吃的布局態(tài)度。英飛凌去年投資20億歐元，在馬來(lái)西亞擴展寬禁帶半導體的產(chǎn)能，就包括碳化硅和氮化鎵；今年3月，英飛凌更是將斥資8.3億美元收購氮化鎵系統公司，以進(jìn)一步增強英飛凌在功率系統領(lǐng)域的領(lǐng)導地位。

集邦咨詢(xún)化合物半導體分析師龔瑞驕表示，氮化鎵在400V系統內車(chē)載充電機的應用中，可能與碳化硅材料形成競爭，但因為氮化鎵材料在高壓上的局限，800V系統領(lǐng)域短期內應該不會(huì )有競爭產(chǎn)生。據預測，到2025年左右，氮化鎵功率元件會(huì )小批量地滲透到低功率的OBC(車(chē)載充電機)和DC-DC(直流轉直流電源)中，2030年代工廠(chǎng)商會(huì )考慮將氮化鎵移入到逆變器。

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